半導體生產用超純設備概述：
　　半導體生產用超純水對TOC、DO、SIO2、Particulate的控制嚴格，達到PPb級，生產水質在18.2m * CM(25)以上。
　　超純設備用于半導體生產的優點：
　　半導體芯片上的水主要在前端晶體硅片冷卻劑上，在基板晶片感應清洗水、中間晶片飛濺電鍍、曝光、電鍍、光刻、腐蝕等工藝清洗、后端感應封裝清洗上。LED芯片主要在前一段是MOCVD外延片生長用水，中間部分主要檢測暴露、現象、光阻清潔用水，后面部分檢測包裝用水。另一方面，半導體行業對TOC的要求很高。
　　超純設備的工藝是根據不同的進水水質和出水要求設計的，因此，根據不同的原水質量特性設計超純設備方案是經濟實惠的，同時也是水質長期穩定滿足要求的保證。超純設備的用途不同，可能有不同的制造過程，或者結合幾種工藝，水質達到預期的效果，也可以按類別大致劃分，分為比較常用的預處理系統、反滲透系統、EDI電脫鹽超純系統、精密處理系統等。
　　半導體生產用超純設備工藝：
　　反滲透純設備
　　RO反滲透膜的工作原理是對水施加一定的壓力，使水分子和離子狀態的礦物元素通過一層半透膜，溶于水的大部分無機鹽(包括重金屬)、有機物、細菌、病毒等不能通過反滲透膜而通過的純凈水和不能通過的濃縮水嚴格分離。
　　半透膜的孔徑僅為0.0001um，但病毒的直徑一般為0.02-0.4um，普通細菌的直徑為0.4-1um。反滲透純水機的正常運行取決于一定的壓力，這種壓力大于滲透膜的滲透壓力，通常為2.8千克/平方厘米。
　　在水壓或水壓不穩定的地區，建議購買帶有前置增壓泵的反滲透純水系統。該系統工作壓力達到0.3-0.6Mpa，不受自來水壓力的限制，水效率高，速度快，濃縮水少。
　　反滲透有效脫鹽，一次反滲透設備出水電阻率一般為0.05-0.5M。是厘米。該純系統水生產質量穩定，是目前比較普通的純生產設備，生產質量基本滿足FPC/PCB生產需求。
　　EDI電脫鹽超純水系統
　　連續電脫鹽(EDI、Electro deionization或CDI、Continuous Electrode Ionization)利用混合離子交換樹脂吸附在水中的陰陽離子上，同時吸附的離子在DC電壓的作用下這個過程是離子交換樹脂在電上連續再生的，所以不需要用酸和堿再生。
　　這項新技術取代了傳統的離子交換裝置，*高可達18。可以生產厘米的超純水。整個過程前面的部分與一般的水處理過程沒有太大區別。一般先經過預處理，再加入藥物清除病毒，然后經過RO反滲透系統，使用EDI設備制作超純水。